ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半導體晶體管圖示系統,IV曲線自動生成,也可根據實際需求設置功能測試,直接讀取數顯結果。系統生成的曲線都使用ATE 系統逐點建立,保證了數據的準確可靠。系統典型的測試時間是6 to 20ms,通常上百個數據點曲線只需要幾秒鐘時間便可以展現出來,數據捕獲的曲線可導入EXCEL等格式進一步分析研究.
通過USB或者RS232與電腦連接,通過友好的人機界面操作,即可完成測試。并實現結果以EXCEL和WORD的格式保存。提供過電保護功能,門極過電保護適配器提供了廣泛的診斷測試。這些自我測試診斷被編成測試代碼,以提供自我測試夾具,在任何時間都可以檢測。
系統特征:
● IV曲線顯示/局部放大
● 程序保護zui大電流/電壓,以防損壞
● 品種繁多的曲線
● 可編程的數據點對應
● 增加線性或對數
● 可編程延遲時間可減少器件發熱
● 保存和重新導入入口程序
● 保存和導入之前捕獲圖象
● 曲線數據直接導入到EXCEL
● 曲線程序和數據自動存入EXCEL
● 測試范圍廣(19大類、27分類)
曲線測試:
ID vs. VDS at range of VGS
ID vs. VGS at fixed VDS
IS vs. VSD
RDS vs. VGS at fixed ID
RDS vs. ID at several VGS
IDSS vs. VDS / HFE vs. IC
BVCE(O,S,R,V) vs. IC
BVEBO vs. IE
BVCBO vs. IC
VCE(SAT) vs. IC
VBE(SAT) vs. IC
VBE(ON) vs. IC (use VBE test)
VCE(SAT) vs. IB at a range of ICVF vs. IF
測試參數:
漏電參數:IR、 ICBO、 LCEO/S/X、IDSS/X、 IDOFF、 IDRM、 IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、 IR(OPTO)
擊穿參數:BVCEO、BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、 BVGKO
增益參數:hFE、CTR、gFS
導通參數:VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)、Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)
關斷參數:VGSOFF
觸發參數:IGT、VGT
保持參數:IH、IH+、IH-
鎖定參數:IL、IL+、IL-
混合參數:rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
間接參數:IL
應用領域
領 域 | 軍工院所、 高校、半導體器件生產廠商、 |
數控系統、 電源、變頻器、逆變器、變流器、數控、電焊機、白色家電、 | |
新能源汽車、軌道機車檢修 等 …… | |
使 用 | 測試分析 / 器件選型 |
篩選檢驗 / 生產線 自動 批量 測試 等 …… 。 |
技術指標
主極參數 | 控制極參數 | ||||
指標 | 標配 | 選配 | 指標 | 標配 | 選配 |
①主極電壓: | 1mV-2000V | 1000V | ①控制極電壓: | 100mV-20V | 80V |
②電壓分辨率: | 1mV | ②電壓分辨率: | 1mV | ||
③主極電流: | 0.1nA-50A | 100A | ③控制極電流: | 100nA-10A | 40A |
④電流分辨率: | 0.1nA | 10pA | |||
⑤測試精度: | 0.2%+2LSB | ||||
⑥測試速度: | 0.5mS/參數 | |